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消息称三星推动DRAM制程升级,多款1y nm DDR4内存条年底EOL

0次浏览     发布时间:2025-04-22 09:47:00    

IT之家 4 月 22 日消息,台媒《电子时报》今日称,随着三星电子推动 DRAM 内存制程工艺的策略性转换升级,多款采用老旧 1y nm(第二代 10nm 级)工艺 DRAM 颗粒的 DDR4 模组(内存条)即将停产。

具体来看,多家供应链企业反馈收到产品 EOL(IT之家注:生命周期结束)通知函,多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 内存条的最后订购日期是今年 6 年上旬,2025 年 12 月 10 日完成最后出货。

报道指出,三星电子正快速推动传统 DRAM 内存产线向 DDR5、HBM 等较新产品的转换,而这也意味着与老旧制程关系密切的 DDR3、DDR4 逐步停产。

据悉三星电子已于 2024 年第二季度停产 DDR3;1y nm DDR4 产能在整体中的占比将快速从去年的 20% 上下削减至今年下半年的不足一成;再下一代的 1z nm DDR4 预计将在 2027 年停产。

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